對(duì)于此兩種體系的陶瓷散堆填料而言，由圖3可知，相同體積含量時(shí)，f123S13N;復(fù)合體系的熱導(dǎo)率比SIOzS13N4復(fù)合體大，而且前者熱導(dǎo)率隨體積百分含量的變化比后者略快，這是因?yàn)锳12O。陶瓷顆粒本身熱導(dǎo)率高于5102。當(dāng)兩種體系的體積百分含量達(dá)到60%a時(shí)，陶瓷散堆填料的熱導(dǎo)率分別達(dá)到2.254W(mK)、2.04W(mK)，近似為樹(shù)脂基體的10倍。

       固體物質(zhì)的熱膨脹系數(shù)取決于原子間作用力的大小，聚合物鏈間力很小，結(jié)合很弱，所以熱膨脹系數(shù)比較大，約在105K‘?dāng)?shù)量級(jí)。聚合物基陶瓷散堆填料的熱膨脹系數(shù)與兩相材料的線膨脹系數(shù)以及它們的體積百分含量有關(guān)，可以用式(1)表示c=。m(fm)y9,iof(1)這里為陶瓷散堆填料的線膨脹系數(shù)m為聚合物的線膨脹系數(shù)，of為填加劑材料的線膨脹系數(shù)，Vf為填加劑的體積百分?jǐn)?shù)。由此式可知，低膨脹系數(shù)的填加劑體積含量越高，陶瓷散堆填料的熱膨脹系數(shù)越小。對(duì)于環(huán)氧模塑料而言，要求其熱膨脹系數(shù)接近硅芯片的熱膨脹系數(shù)(約為3.5x10-6K4.1x10-6K-io,y，以免二者熱膨脹系數(shù)差異過(guò)大產(chǎn)生應(yīng)力，造成布線破壞。其應(yīng)力近似可表示為=KEaOTiz,is(2)這里K是常數(shù)，E是封裝材料的彈性模量，。是線膨脹系數(shù)，OT是Tg與常溫的溫度差。因此本體系就是加入了高填充量的、低膨脹系數(shù)的陶瓷粉末來(lái)達(dá)到此目的。兩種體系陶瓷散堆填料的熱膨脹系數(shù)隨填料體積百分含量變化的曲線如圖4所示。圖4中，曲線各數(shù)據(jù)均是在20℃一150℃范圍測(cè)得的平均線膨脹系數(shù)。由圖知，陶瓷散堆填料的熱膨脹系數(shù)隨著填料體積含量的增加而減小，填料體積含量相同時(shí)，A1203,Si3N4復(fù)合體系的CTE要比Si02,Si3N4復(fù)合體系小，而且前者CTE下降的速率稍微比后者大些。兩者在體積含量為65%時(shí)的CTE分別為14.93x10"6K"1,16.43x10-6K"1，與Baes]用A1N級(jí)配填充陶瓷散堆填料時(shí)獲得的熱膨脹系數(shù)值相差不多(65%A1N,CTE為14.5x10-6K"118.5x106Ku)，該值接近與銅引線的熱膨脹系數(shù)(17x10-6Kn)。由此看來(lái)，復(fù)合陶瓷顆粒復(fù)合填充樹(shù)脂也可以有效地減小熱膨脹系數(shù)。www.0566game.com